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LED UV固化灯简单介绍发布于:2019-12-12
10:28发布人:zf2019来源:
UV固化灯是一种直接产生紫外光的半导体发光器件,发光波长为200nm至450nm某个波长的光源。可以分为两类:LED
UV点光源和LED UV线面光源。LED UV固化灯(2张)LED
UV固化灯构成UVLED固化灯由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成,形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例,发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层,但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN,与之相对是InGaN或AlGaN合金,则器件发射的光谱范围为350~370nm。  当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时,则产生紫外线辐射。含铝的氮化物,特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件,获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管已经商业化,基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功,250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。  
III-V族金属氮化物基的半导体非常适合于制作紫外辐射源。以AlGaInN为例,在室温下,随着各组分比例的变化,电子和空穴在复合时所辐射的能量在1.89~6.2eV。如果LED的活性层单纯由GaN或AlGaN构成,则其紫外辐射效率很低,因为电子和空穴之间的复合为非辐射复合。如果在该层当中掺杂少量的金属In,活性层局部的能级就会发生变化,此时,电子和空穴就会发生辐射复合。因此,当在活性层中掺杂了金属铟之后,380nm处的辐射效率要比不掺杂的高大约19倍。LED
UV固化灯的特点国内目前大部分厂家依然用着传统的紫外汞灯来进行工作,但是,UV
LED终将会代替汞灯,因为他的优势比传统的汞灯大太多了!  1、超长寿命:使用寿命是传统汞灯式固化机的10倍以上,约25000~30000小时。  2、
冷光源、无热辐射,被照品表面温升低,解决光通讯、液晶生产中长期存在的热伤害问题。特别适合液晶封边、薄膜印刷等要求温升小的场合适用。  3、
发热量小,可解决汞灯喷绘设备发热量大、工作人员难以忍受的问题。  4、
瞬间点亮,不需要预热即刻达到100%功率紫外输出。  5、
使用寿命不受开闭次数影响。  6、
能量高,光输出稳定,照射均匀效果好,提高生产效率。  7、
可定制有效照射区域,长度从20mm到1000mm。  8、
不含汞,也不会产生臭氧,是替代传统光源技术的一种更安全、更环保的选择。  9、能耗低,耗电量仅为传统汞灯式固化机的10%,能节约90%电量。  10、维护成本几乎为零,采用UVLED固化设备每年至少节约10000元/台的耗材费。LED
UV固化灯应用领域LEDUV固化灯适用范围
:电子、精密零件、磁头、光学镜片、液晶显示板、微电机、医疗用品、工艺品、光纤连接器、液晶、LCD、马达、硬盘以及其它新兴领域有广泛的应用。或与自动或手动点胶机配套使用。
是传统光纤高压汞灯式点光源机的换代产品。

图片 1

人眼可见的光谱范围一般为400-700nm,那么紫外线波长就是大于100nm、小于400nm的电磁波就称之为紫外线。原子或分子外层电子获得能量后受激发到激发态,电子在激发态不能稳定停留而向基态跃迁,在此过程中以光子的形式辐射出能量,即紫外线。

按紫外线的生物效应可将紫外线按波长从高到低划分为以下四个波段:

UV-A(400-315nm):也称为黑光,波长最长,能量最低,占有自然界紫外光的最大份额。能引起皮肤的色素沉淀产生黑斑,故又称致黑斑紫外线;

UV-B(315-280nm):是自然界紫外光中最具破坏性的部分,会导致皮肤晒伤,产生红斑,部分可被大气臭氧层吸收,又称致红斑紫外线;

UV-C(280-200nm):全部被大气层吸收,通常只能用人造光源生成。用于杀菌消毒的是波段中波长的紫外线。

真空紫外线(200-100nm):无法进入大气层,存在于太空。

如图所示,从图中可以看出遗传物质核酸DNA和RNA对紫外线吸收光谱的范围为250-280nm,传统低压汞灯的发光谱线主要有254nm和185nm两条,因此当紫外灯波长为254nm时,核酸对紫外线有最大吸收,即杀菌效果最好。

随着由白光LED固态照明引发的第三次照明革命的火热进行,人们逐渐将研究重心转向以高Al组分Ⅲ族氮化物为结构材料的紫外LED。紫外LED在医疗、杀菌、印刷、照明、数据存储、以及保密通信等方面都有重大应用价值。并且与汞灯和疝灯等传统气体紫外光源相比,UV
LED具有强大的优势。

那么我们放开汞灯直接来谈谈UVLED(紫外LED)的组成:

由夹在较薄GaN三明治结构中一个或多个InGaN量子阱组成,形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例,发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层,但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN,与之相对是InGaN或AlGaN合金,则器件发射的光谱范围为350~370nm。

当蓝色InGaN发光二极管泵短的电子脉冲时,则产生紫外线辐射。含铝的氮化物,特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件,获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管已经商业化,基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功,250~270nm波段的UVLED目前全球芯片厂家也在大力研制中。

UV-LED主要特点如下:

(1)开闭次数不影响使用寿命;而传统紫外光源汞灯的紫外线辐射强度随着累计开启次数和点燃时间的增加而降低;

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